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IRF5803中文资料

IRF5803图片

IRF5803外观图

  • 大小：109.38KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：Power MOSFET(Vdss=-40V)
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：HEXFET?
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：112 毫欧 @ 3.4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：37 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1110 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）
  • 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

IRF5803供应商

更新时间:2023-01-03 16:10:13
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