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IRF5803中文资料

IRF5803图片

IRF5803外观图

  • 大小:109.38KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:Power MOSFET(Vdss=-40V)
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:HEXFET?
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):112 毫欧 @ 3.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):37 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1110 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:Micro6?(TSOP-6)
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

IRF5803供应商

更新时间:2023-01-03 16:10:13
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